采用StackFET技术的三相3W高压直流电源

　　高压直流电源电路的工作模式如下：电路的输入电流可以来自三相三线或四线系统，甚至是单相系统。三相整流器由二极管D1-D8组成。电阻R1-R4可提供浪涌电流限制。如果使用易熔电阻，则在发生故障时可以安全地断开这些电阻，而无需单独的保险丝。 Pi滤波器由C5，C6，C7，C8和L1组成，可以对整流后的直流电压进行滤波。

　　电阻R13和R15用于均衡输入滤波电容器之间的电压。

　　当集成开关(U1)中的MOSFET导通时，Q1的源极被拉低，R6，R7和R8提供栅极电流，并且VR1至VR3的结电容导通Q1。齐纳二极管VR4用于限制施加到Q1的栅极-源极电压。当U1中的MOSFET截止时，U1的最大漏极电压被一个由VR1，VR2和VR3组成的450 V终端网络钳位。这将U1的漏极电压限制为接近450V。

　　连接到Q1的绕组末端的任何附加电压都将施加到Q1。这种结构可以有效地将整流后的直流输入电压和反激电压的总量分配在Q1和U1之间。电阻R9用于限制开关期间的高频振荡。由于在回扫间隔期间存在漏感，因此使用端子网络VR5，D9和R10限制初级绕组上的峰值电压。

　　输出整流由D1完成。 C2是输出滤波器。 L2和C3形成次级滤波器，以减少输出端的开关纹波。

　　当输出电压超过光耦合二极管和VR6的总压降时，VR6导通。输出电压的变化导致流过U2中的光电耦合器二极管的电流发生变化，其结果是流过U2B中的晶体管的电流发生变化。如果该电流超过U1的FB引脚阈值电流，则下一个周期被抑制。输出电压的调节可以通过控制激活和停用周期的数量来实现。接通开关周期后，当电流上升到内部电流极限U1时，周期结束。 R11用于限制瞬态负载期间流经光耦合器的电流，并调节反馈环路的增益。电阻R12用于对齐纳二极管VR6偏置。

　　IC U1(LNK 304)具有内置功能，因此可以根据反馈信号的消失，输出端子的短路和过载来保护电路。由于U1直接由其漏极引脚供电，因此无需在变压器上增加额外的偏置绕组， C4用于内部去耦电源。

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