[h桥电路图]半桥式逆变电源电路图

　　电源鉴于半桥结构基础上采用串联谐振逆变电路(也称为串联谐振耐压器件)。主电路原理如图3所示，对于大功率IGBT谐振式逆变电路，主电路的设计非常重要。由于电路中有寄生电感，不可忽略IGBT开关时而触发的Ldi/dt浪涌尖峰电压。由于电源采用半桥式逆变电路，与全桥电路相比，它会产生更大的di/dt。我们需要重视设计正确过压保护或缓冲电路对IGBT正常性能；如果缓冲电路设计不当，会增加缓冲电路的损耗，造成电路过热，长此以往容易损坏设备，缩短使用寿命。

　　过程是这样的：当VT2导通时，随着电流的上升，在杂散电感LM运动下，Uab下降到Vcc-Ldi/dt。此时，缓冲电容C1在第一个工作周期中被Vcc充电，通过VT1反并联二极管VT2和VT1的缓冲电阻R2放电。在缓冲电路中，反并联二极管VD1的瞬时ID1为沿线损耗的电流IL和通过缓冲电容C1的电流IC的和，即ID1=IL+IC，则IL和di/dt电路在无缓冲的基础上会小更小。VT1关断时，由于Lm运动不一致，Uce急剧上升，大于Vcc总线体积，此时缓冲二极管VD1超前。Lm中储存的能量(LmI2/2)转移到缓冲电路，缓冲电路吸收储存的能量而不会引起Uce的显着增加。

　　缓冲元件的计算和选择

　　在这个公式中：

　　F-开关频率

　　Rtr-开关电源上升时间

　　IO-最大开关电流

　　Ucep-瞬间电压峰值。

　　串联谐振缓冲电路选用时，电容必须是耐压高的电容。二极管最好选择高性能恢复快二极管，需要用无感电阻。

　　电源已成功应用于功率测试设备，与传统方法相比，它不仅是一种测量精度高的方法，而且还提高了效率，增加工作保障并减少员工劳动强度。